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IRF630FP中文资料

IRF630FP图片

IRF630FP外观图

  • 大小:104.76KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET
  • 其它有关文件:IRF630FP View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MESH OVERLAY™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:700pF @ 25V
  • 功率 - 最大:30W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220FP
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-12489-5IRF630FP-ND

IRF630FP供应商

更新时间:2023-01-05 11:22:15
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